我正在尝试写入 STM32F1xxC 的内部闪存（每页 2KB），我可以在页面擦除后写入闪存，这会将页面的每个字节转换为 0xFF。
很奇怪，我不能将相同的flash地址写两次，只有当那个地址之前的值为“0xFFFF”时才有可能。 p>
这个限制的原因是什么？ 而且我想知道为什么我不能写到奇数地址？ （例如 0x803F0A1）
我认为我的问题不是特定于平台（或供应商）的，所以我没有添加任何代码。
感谢您的帮助。
【问题讨论】：
标签： embedded stm32 flash-memory
这不是很奇怪，但是flash的规则，因为底层技术（我不敢解释，我不是物理学家）。看看这里：
https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#Block_erasure
不过，只要新值为 0，就可以重写位置 位是覆盖值的超集。例如，咬一口 值可能会被擦除为 1111，然后写入 1110。连续写入 到那个半字节可以将其更改为 1010，然后是 0010，最后是 0000。 本质上，擦除将所有位设置为 1，而编程只能 清除位为 0。
至于：
我还想知道为什么我不能写到奇数地址？
这是您的 CPU 的内存对齐限制 - 一个非常常见的限制，不要因此而责怪它！这里有一个很好的解释：
https://stackoverflow.com/a/3025225/5257515
因此，要写入未对齐的地址，您还必须先写入对齐的地址：
加载 16 位（或 32 位，取决于您的对齐粒度限制）位内存对齐地址值，其中包括您感兴趣的部分，
更改此部分，其余部分保持不变，
将新的 16（或 32）位值写回内存对齐地址。
编辑：
有关 STM32F1xx 更严格设计的具体见解，请务必查看@Clifford 评论。
【讨论】：
闪存的本质是 write 操作只允许一个位从 1 到 0 的转换。要将一个位从 0 设置为 1 需要一个 erase操作和擦除操作适用于整个擦除块。擦除块的大小因设备而异。
在大多数闪存实现中，如果唯一的位变化是从 1 到 0，则可以修改已经写入的字。然而，在 STM32F1xx 上，即使这样也是不可能的，因为字大小是 16 位，如果已经写了另一半字，就不能写一个字节。
STM32F2xx（以及 F4 和 F7 范围）通过允许以 8、16 和 32 位模式写入闪存来部分解决此问题，但仍然无法将位从 1 写入 0 位在同一个词中已经是零。
您可能需要注意的 STM32 片上闪存的另一个问题是，在写入或擦除操作期间，总线会停顿很长一段时间。在传统的闪存部件上，您可以在写入另一页的同时从一页读取，但在 STM32 上，整个闪存被阻塞。由于通常从闪存中获取指令，因此这种读阻塞意味着在闪存擦除/写入操作期间不处理任何指令 - 整个处理器内核处于等待状态 （外围设备继续运行 - 除非使用 DMA 从闪存读取）。对于擦除，延迟取决于页面大小；在 STM32F1xx 上，这个延迟可以高达 40 毫秒，在 F2 上是 800 毫秒！这使得实时系统中的片上闪存写入/擦除操作存在问题。
虽然闪存通常对写入/擦除操作施加限制，但 ST 的实现会施加其自身的附加限制，如上所述。您总是需要将您的非易失性存储器技术与应用程序相匹配，或者编写您的应用程序以使用可用的非易失性存储器。外部（片外）设备可能适合您的情况。大多数技术都以某种方式在速度、可用性、耐用性、密度和成本方面做出某种妥协，但您可以考虑使用外部闪存、EEPROM、FRAM 或电池支持的 SRAM。如果您的处理器缺少外部存储器接口，或者您负担不起使用地址总线访问设备所需的引脚数，则大多数可用技术是通过 SPI 或 I2C 进行串行访问设备。
另请注意，STM32F1xx 闪存实现的详细信息在通用用户手册的单独文档中进行了描述。参考PM0075 Programming manual - STM32F10xxx Flash memory microcontrollers
为了公平起见，限制性的 STM32 闪存实现并非完全随意。毫无疑问，与“完整”实现相比，该实现需要更少的裸片空间，从而为更多外围设备、更大的内存或更小的裸片尺寸提供空间（以降低成本）。芯片设计涉及许多妥协，ST 似乎选择为大型外设集妥协闪存灵活性。
【讨论】：