视频解释：https://v.youku.com/v_show/id_XMTQ4MjgxMTY=.html
背景：P型半导体中空穴为多数载流子，自由电子为少子；N型半导体中自由电子为多子，空穴为少子
第一步：将P型半导体和N型半导体制作在同一个硅片上，由于浓度差的原因，P型中空穴就会流向N型，N型中的电子就会流向，这种扩散运动就会形成内电场（电场方向为N型指向P型），
第二步：由于内电场的存在，会阻止扩散运动，并且产生漂移运动（N型中的空穴 流向P型；P型中的自由电子 流向N型）
第三步；在无外电场和其他激发作用的情况下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡，形成PN结。