PIC芯片EEPROM的擦除/写入块大小

Question

首先，对不起我的英语不好，因为我的英语水平不是很好......

在提问之前，我想说明一下我的情况，以帮助理解。

我想用 EEPROM 作为一种计数器。

该计数器的值会非常频繁地增加，所以我应该考虑耐力问题。

我的想法是，在多个地址上交替写入计数器值，以便将单元磨损减少 N。

例如，如果我使用 5x 面积进行计数，

计数 1 -> 1 0 0 0 0

计数 2 -> 1 2 0 0 0

计数 3 -> 1 2 3 0 0

计数 4 -> 1 2 3 4 0

计数 5 -> 1 2 3 4 5

计数 6 -> 6 2 3 4 5

...

因此，电池寿命可以延长 N 倍。

然而，AFAIK，对于当前的 NAND 闪存，数据擦除/写入是由一组字节完成的，称为块。因此，如果所有字节都在单个写入/擦除块内，我的方法将不起作用。

那么，我的主要问题是：PIC 的 EEPROM 的擦除/写入操作是由一组字节完成的吗？还是由单个单词或字节完成？

例如，如果它是由一组 8 字节完成的，那么我应该在每个计数器值之间做 8 字节偏移，以使我的方法正常工作。

否则，如果是按字节或字来完成，我就不用考虑间距/偏移了。

Answer 1

来自数据表PIC24FJ256GB110 第 5.0 节：

用户可以在 64 条指令块中写入程序存储器数据 （192 字节），并以 512 块为单位擦除程序存储器 一次指令（1536 字节）。

但是，如果您将块的其余部分擦除（位为 1）并且 privius 内容保持不变，则您可以多次覆盖单个块。请记住：您可以只清除块中的单个位。

8 次写入单个 FLASH 块后数据保留率会降低多少我不知道！