如何对 ATMEL 闪存芯片 AT45DB081D 执行连续阵列读取答案

【问题标题】：How to perform Continuous Array Read for ATMEL Flash Chip AT45DB081D如何对 ATMEL 闪存芯片 AT45DB081D 执行连续阵列读取
【发布时间】：2013-09-20 18:44:11
【问题描述】：

我正在尝试使用以下代码通过 SPI 与 AT45DB081D 芯片通信：

void efContinuousArrayRead(unsigned char *data, unsigned int page, unsigned int offset, unsigned int length)
{
    unsigned int index;

    FLASH_SEL_ON

    SPIShift(0x03); 
    SPIShift((unsigned char)(page >> 7));
    SPIShift((unsigned char)((page << 1) | (offset >> 8)));
    SPIShift((unsigned char)(offset & 0xFF));

    for(index = 0; index < length; index++)
    {
        data[index] = SPIShift(0x00);
    }

    FLASH_SEL_OFF
}

我还有其他几个可以使用的命令，包括：

缓冲区 1/2 读取
缓冲区 1/2 写入（带/不带页擦除）
主内存到缓冲区 1/2

鉴于这些其他命令有效，我有理由相信 FLASH_SEL_ON、SPIShift 等按预期工作。

请注意，我可以从第 0 页读取任何偏移量。但是，我无法从 0 以外的任何页面读取内容。这让我相信问题在于我指定页面的数学有缺陷。

在调试中发现，对于page 1，offset 0，24位地址计算为：

00000000 00000010 00000000

根据地址格式的数据表规范，这看起来是正确的：

xxxPPPPP PPPPPPPB BBBBBBBB

地点：

x 未使用
P 页码
B 偏移

当我指定 pageNumber = 0 时，我得到了放在那里的正确值。但是，当我指定 pageNumber = 1 时，我得到所有 255 个值，而不是我之前放置在那里的值。

0以外的页面如何指定地址？

【问题讨论】：

标签： c embedded spi z80

【解决方案1】：

事实证明，这个命令执行得很好。其他命令不正确（例如 MainMemoryPageToBufferTransfer）。他们正在使用以 256 字节模式运行的芯片的数学计算页码。该芯片以 264 字节模式运行。

更改这些命令的地址：

SPIShift(opcode); 
SPIShift(pageNumber >> 8); 
SPIShift((unsigned short)pageNumber, 0x00));

到：

SPIShift(opcode);
SPIShift((unsigned char)(pageNumber >> 7)); 
SPIShift((unsigned char)(pageNumber << 1), 0x00));

然后排序。我的测试通过了，因为读取和写入操作都使用了相同的有缺陷的逻辑来指定页码，这让我相信它们工作正常。

【讨论】：