STM32L476 flash 页擦除没有效果答案

【问题标题】：STM32L476 flash Page erase has no effectSTM32L476 flash 页擦除没有效果
【发布时间】：2021-10-20 05:40:34
【问题描述】：

我有一个问题，我尝试将值写入 STM32L476 中的闪存页（第 256 页@0x08080000）。但是，我在闪存状态寄存器中设置了 PROGERR 错误。这意味着尝试将非零值写入未擦除到 0xFFFFFFFF 的闪存位置。

我确实像这样擦除闪存：

uint32_t page = 256;
HAL_FLASH_Unlock();
FLASH_PageErase(page, FLASH_BANK_BOTH);
FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t) FLASH_TIMEOUT_VALUE);
CLEAR_BIT(FLASH->CR, (FLASH_CR_PER | FLASH_CR_PNB));
HAL_FLASH_Lock();

但是，当我在擦除后检查闪存内容时，它并没有改变旧的、未擦除的值。

我试着改成

uint32_t page = 256;
HAL_FLASH_Unlock();
SET_BIT(FLASH->SR, (FLASH_FLAG_ALL_ERRORS));
FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t) FLASH_TIMEOUT_VALUE);
FLASH_PageErase(page, FLASH_BANK_BOTH);
FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t) FLASH_TIMEOUT_VALUE);
CLEAR_BIT(FLASH->CR, (FLASH_CR_PER | FLASH_CR_PNB));
HAL_FLASH_Lock();

但无济于事。

我是否遗漏了一些明显的东西？

【问题讨论】：

注意，页码从 0 开始，但银行编号从 1 开始

标签： c embedded stm32 stm32-hal

【解决方案1】：

每个银行有 256 页，编号为 0-255。因此，第 256 页无效。地址 0x08080000 的闪存是 bank 2 的第 0 页。无效的页码将导致 FLASH_PageErase 断言失败或使用不同的值。

值FLASH_BANK_BOTH 对FLASH_PageErase 无效，因此也会导致断言失败或使用不同的银行值。您一次只能擦除一个银行。否则，从 flash 运行会导致崩溃，因为您不能同时读取和写入单个 bank。

要擦除0x08080000 处的页面，您需要执行FLASH_PageErase(page, FLASH_BANK_2 ); 并将page 设置为0。

【讨论】：

刚刚自己发现了这个问题。这在技术上是不正确的：FLASH_PageErase 只是用0xFF 掩盖页码并检查是否Banks & FLASH_BANK_1 != 0。所以用FLASH_BANK_BOTH 和256 擦除实际上是擦除bank 1 page 0。FLASH_PageErase() 不会失败。它确实删除了错误的页面。
它会屏蔽并检查第 1 页，但这是在完成 assert_param(IS_FLASH_PAGE(Page)); 和 assert_param(IS_FLASH_BANK_EXCLUSIVE(Banks)); 之后，它们会检查有效的页面并且只设置一个银行。
虽然我实际上对它不够熟悉，无法知道这些检查是否在非调试版本中被排除（似乎取决于USE_FULL_ASSERT）。无论哪种方式，都很好地自己解决问题并提供有用的答案。
啊，是的，USE_FULL_ASSERT 独立于 STM32CubeIDE 中的构建配置，目前在项目中没有设置。

【解决方案2】：

发现问题。它与 STM32L476 上的双组闪存有关。擦除第 256 页会改为擦除 bank 1 中的第 0 页。

正确检查并删除正确的页面如下所示：

uint32_t page = 256;
HAL_FLASH_Unlock();
FLASH_PageErase(page & 0xFF, (page & 0x100) == 0 ? FLASH_BANK_1 : FLASH_BANK_2);
FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t) FLASH_TIMEOUT_VALUE);
CLEAR_BIT(FLASH->CR, (FLASH_CR_PER | FLASH_CR_PNB));
HAL_FLASH_Lock();

【讨论】：