了解STM32参考手册中的写入flash流程答案

【问题标题】：Understanding the writing to flash process in the STM32 reference manual了解STM32参考手册中的写入flash流程
【发布时间】：2019-11-25 06:11:39
【问题描述】：

我正在对 stm32l412kb 进行编程，有一次我会将数据写入闪存（从 UART）。从 stm32l41xx reference manual，我了解了在写入之前如何清除内存的步骤，但是在第 84 页上，有一个步骤我在写入实际数据时不知道该怎么做。这一步是

在想要的内存地址进行数据写入操作

它提到了什么数据写入操作？我看不到内存地址所在的任何寄存器，所以我假设它会使用指针？我该怎么做呢？

非常感谢您的帮助，非常感谢，

哈利

【问题讨论】：

在我看来，这些术语有歧义：通常对 Flash 的写操作包括：1) 擦除扇区（如果需要） 2) 编程一个字（或 2 个字），意思是清除内存中的一位或几位。

标签： c stm32 read-write flash-memory

【解决方案1】：

除了一些事情（例如，仅在擦除后写入、时序、对齐、锁定/解锁）之外，写入 RAM 和写入 FLASH 存储器之间并没有太大区别。因此，如果您已按照参考手册中的步骤操作并且闪存已准备就绪（即已清除和解锁），那么您只需获取对齐的内存地址并写入即可。

STMs 自己的 HAL 库包含一个函数，它为您完成所有繁琐的样板文件并允许您“只写”：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

这个函数在内部使用一个执行实际写入的子程序，它看起来像这样：

static void FLASH_Program_DoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data)
{
  /* Check the parameters */
  assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));

  /* Set PG bit */
  SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);

  /* Program first word */
  *(__IO uint32_t*)Address = (uint32_t)Data;

  /* Barrier to ensure programming is performed in 2 steps, in right order
    (independently of compiler optimization behavior) */
  __ISB();

  /* Program second word */
  *(__IO uint32_t*)(Address+4U) = (uint32_t)(Data >> 32);
}

如您所见，其中不涉及魔法。它只是一个取消引用的指针和一个赋值。

【讨论】：

你不能说写入 RAM 和 FLASH 没有太大区别。 Flash 扇区需要擦除，根据您必须注意在与您正在执行的扇区（或存储库）不同的扇区（或存储库）中进行编程的产品，在 STM32L4 上，您一次只能编程 64 位，您必须在对数据总线进行写访问之前，在 Flash 控制器寄存器中设置一个或多个位......但是你是对的，最后写入是由相同的 C（或汇编）指令引发的。

【解决方案2】：

它提到了什么数据写入操作？

“数据写入”只是对闪存中的内存地址的正常写入。它通常是STR 汇编指令。筛选您的数据表，我猜闪存地址在 0x08080000 和 0x00080000 之间。

例如。以下 C 代码会将值 42 写入第一个闪存地址：

 *(volatile uint32_t*)0x00080000 = 42.

参考实现可以看stm32 hal drivers:

  /* Set PG bit */
  SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);

  /* Program the double word */
  *(__IO uint32_t*)Address = (uint32_t)Data;
  *(__IO uint32_t*)(Address+4) = (uint32_t)(Data >> 32);

【讨论】：

我认为您的第一个示例不起作用，因为只能编程双字（2 x 32 数据）。因此，您还需要写入接下来的四个字节：*(volatile uint32_t*)0x00080004 = 0;