STM32H7，HAL_FLASH_Program 函数的奇怪行为答案

【问题标题】：STM32H7, weird behavior of HAL_FLASH_Program functionSTM32H7，HAL_FLASH_Program 函数的奇怪行为
【发布时间】：2021-07-29 00:01:23
【问题描述】：

对于上下文，我正在为我的 STM32H743XI 编写引导加载程序，因为我想在不使用 pin 的情况下通过 USB 擦除和上传代码。

所以我的引导加载程序从 0x08000000 开始，它的大小是 21kB（128kB 的第一个扇区的 17%），我想在扇区末尾读取/写入数据，这些数据将与我的应用程序共享。当我说扇区结束时，它是扇区的最后 10kB，这意味着我从 0x0801D800 开始 R/W。

我想读/写的结构是 8x32 位，因为如果我理解得很好，这是 STM32H74x/5X 设备上 WORD 的大小。

这是我的结构：

typedef struct
{
    int32_t     BootLoaderMode;
    int32_t     StartingPartition;
    int32_t     AppStartingError;
    int32_t     temp4;
    int32_t     temp5;
    int32_t     temp6;
    int32_t     temp7;
    int32_t     temp8;

} ExchangeWord_1;

我有一个指向已分配结构的指针：

ExchangeWord_1* m_ExchangeWord_1 = (ExchangeWord_1*)malloc(sizeof(ExchangeWord_1));

在写之前我解锁内存：

HAL_FLASH_Unlock();
HAL_FLASH_OB_Unlock();

写操作看起来像（id=0，第二个参数是我分配的struct）：

void writeExchangeWord(uint16_t id, ExchangeWord_1* exchangeWord )
{
   //unlock function

    uint32_t flash_address = (0x0801D800+id*32);
    uint32_t data_address = (uint32_t)exchangeWord;
    HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FLASHWORD, flash_address, data_address);

    //lock function
}

然后我锁定内存：

HAL_FLASH_Lock();
HAL_FLASH_OB_Lock();

所以第一次调用它运行良好，当我查看内存时调试器确认它：

[第一次调用时的闪存][1]： https://i.stack.imgur.com/cH9fI.png

但是在下一次调用时，内存被填充为 0，在第三次调用时更奇怪的是，从 0x0801D800 开始的多个单词被填充为 0。

我的结构的地址对齐良好 (m_ExchangeWord_1 = 0x20001D60)。

我错过了什么？我需要在写作之前/之后清除一些标志吗？

谢谢（=;

【问题讨论】：

警告：我没有指定芯片的手册：但是，寄存器列表中通常有一个“忙”指示器，并且锁定/解锁操作不是即时的，因此需要确保内置外设在更改其锁定/解锁状态之前并不忙（在解锁以写入数据时类似，并且写入数据需要特定的操作序列

标签： c memory stm32 write flash-memory

【解决方案1】：

好吧，似乎不可能在同一个地址连续写入两次，我在某处读到，如果我们想多次写入而不擦除，我们只允许将位从 1 切换到 0。我将我的“共享区域”移到了一个特定的扇区中，每次我想在上面写字时都必须擦除它。

我的问题解决了。

【讨论】：