在嵌入式环境中（使用 MSP430），我看到一些数据损坏是由于部分写入非易失性内存而导致的。这似乎是由于写入期间的功率损耗（写入 FRAM 或信息段）造成的。
我正在使用 CRC 验证存储在这些位置的数据。
我的问题是，防止这种“部分写入”损坏的正确方法是什么？目前，我已修改我的代码以写入两个单独的 FRAM 位置。因此，如果一个写入中断导致无效的 CRC，则另一个位置应保持有效。这是一种常见的做法吗？我是否需要为任何非易失性内存实现这种双重写入行为？
【问题讨论】：
标签： memory embedded msp430 non-volatile
一个简单的解决方案是维护 两个 版本的数据（在闪存的不同页面中），当前版本和以前的版本。每个版本都有一个标题，其中包含一个序列号和一个验证序列号的单词 - 只是序列号的 1 的补码，例如：
---------
| seq |
---------
| ~seq |
---------
| |
| data |
| |
---------
关键是当写入数据时，seq 和 ~seq 两个词都写在最后。
在启动时，您读取具有最高有效序列编号的数据（可能考虑回绕——尤其是对于短序列词）。当您写入数据时，您会覆盖并验证 最旧的块。
只要最后写入 CRC，您已经使用的解决方案就是有效的，但它缺乏简单性并且会产生不必要或不希望的 CRC 计算开销。
在 FRAM 上，您不必担心耐用性，但这是闪存和 EEPROM 的问题。在这种情况下，我使用回写式缓存方法，其中数据保存在 RAM 中，并且在修改时启动或重新启动计时器（如果它已经在运行） - 当计时器到期时，数据被写入 - 这可以防止突发写入避免破坏内存，甚至在 FRAM 上也很有用，因为它最大限度地减少了数据写入的软件开销。
【讨论】：
我们的工程团队对这些问题采取了两种方法：通过硬件和软件解决问题！
第一个是二极管和电容器布置，可在欠压期间提供几毫秒的电力。如果我们注意到我们失去了外部电源，我们会阻止代码进入任何非违规写入。
其次，我们的数据对操作尤为关键，它经常更新，我们不想耗尽我们的非违规闪存存储（它只支持这么多的写入。）所以我们实际上在闪存中存储了 16 次数据并用 CRC 码保护每条记录。在启动时，我们会找到最新的有效写入，然后开始我们的擦除/写入周期。
自实施我们坦率的偏执系统以来，我们从未见过数据损坏。
更新：
我应该注意，我们的闪存在 CPU 外部，因此如果 CPU 和闪存芯片之间存在通信故障，CRC 有助于验证数据。此外，如果我们连续遇到多个故障，则多次写入可以防止数据丢失。
【讨论】：
我们使用了与 Clifford 的答案类似的东西，但用一次写入操作编写。您需要两个数据副本并在它们之间交替。使用递增的序列号，以便有效地一个位置具有偶数序列号而一个位置具有奇数。
像这样写数据（如果可以的话，在一个写命令中）：
---------
| seq |
---------
| |
| data |
| |
---------
| seq |
---------
当您回读它时，请确保两个序列号相同 - 如果它们不同，则数据无效。在启动时读取两个位置并确定哪个位置更新（考虑到序列号翻转）。
【讨论】：
始终将数据存储在某种协议中，例如 START_BYTE、要写入的总字节数、数据、END BYTE。 在写入外部/内部存储器之前，请务必检查 POWER Monitor 寄存器/ADC。 如果无论如何您的数据损坏，END 字节也会损坏。因此，在整个协议验证后，该条目将无效。 校验和不是一个好主意，如果你想在你的协议中包含 CRC，你可以选择 CRC16 而不是那个。
【讨论】：