【发布时间】:2013-01-26 12:36:42
【问题描述】:
我有一个实现 DRAM 测试序列的 VHDL 组件。它包含一个子实体,即 DRAM 控制器。
我想模拟(调试)DRAM 测试序列,但对 DRAM 控制器使用一个简单的假存根,而不是真正的、复杂的东西。
有没有办法设置它,也许使用 VHDL 配置来使用控制器实体的简单版本进行模拟?我对仿真还很陌生,对 VHDL 的一般经验并不丰富。
这是使用面向 Spartan-6 的 Xilinx ISE 和 ISim,如果这有影响的话。
【问题讨论】:
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是否有需要拥有更小/更快的 DRAM 控制器?模拟器或计算能力湖是否有限制?如果没有,我就不会努力和/或冒险。
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有趣的问题:这正是配置的用途!然而,以这种方式使用它们——甚至根本不使用它们——是非常罕见的,因此容易出现奇怪的工具错误。不管我回答不回答,我都在饶有兴趣地看着这个!
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@Vermaete:如果 DDR 控制器是 Xilinx MIG:它会坚持一个持续 50us 的校准序列,然后才能让您运行一个有用的仿真周期。将其与他们(疯狂地)仅在门级模拟的另一个内核相结合,每次模拟您要等待半小时。这可能不算“需要”,但很接近!
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@Brian Drummond:好吧,这将是一个正当的理由。但是,其中一些 IP 具有通过跳过这些阶段来加速模拟的泛型。
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给出的时间是那些泛型!
标签: simulation vhdl fpga