单N沟道，20V，0.71A，功率MOSFET 说明 WNM2046是N通道增强型MOS 场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合用于 DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2046是无铅的。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小型封装DFN1006-3L 应用 小信号切换 小摩托车司机 相关文章： 2022-01-22 2021-11-02 2022-01-14 2021-09-05 2021-06-06 2022-12-23 2021-04-25 2022-03-07