单P沟道，-20V，-3.2A，功率MOSFET
说明
WPM2026是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）
低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电
电路。 标准产品WPM2026是无铅的无卤。
特征
海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-23
应用
继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电
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