模拟电子技术基础1
二极管伏安特性关系
si(硅)开启电压为0.5v导通电压为0.5v--0.8v，反向饱和电压1uA以下
ge（锗）开启电压为0.1v导通电压0.1--0.3V，反向饱和电压几十uA
理想二极管导通时u=0，截止时i=0
最大整流电流IF：最大平均值
最大反向工作电压UR：最大瞬时值
反向电流 IR：即IS
最高工作频率fM：因PN结有电容效应
当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。
温度上升在电流不变情况下管压降u下降 反向饱和电流IS上升，U(BR) 下降
温度下降，正向特性左移，反向特性下移
稳压二极管：由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压
稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻
三极管
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。e为发射极，b为基极，c为集电极
e为输出为NPN型，e为输入为PNP型