数电学习笔记（5）——三极管和TTL门电路

• 三极管的输入特性曲线，用虚线来近似，$V_{ON}$VON​为0.5-0.7V（硅管）或0.2-0.3V（锗管）
  
• 输出特性曲线：
  
  明显分为3个区——放大区、截止区、饱和区：
  • 放大区电流不受$v_{CE}$vCE​影响，而与$i_B$iB​成正比
  • 截止区电流为0，相当于断开
  • $v_{CE}$vCE​比较小时处于饱和区，阈值约为0.6-0.7V，深度饱和时电压小于0.2V

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• 三极管基本开关电路：
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• v1低电平（$v_1 \le v_{ON}$v1​≤vON​）时工作在截止区，相当于断开，输出高电平;
• 当v1升高时，先是进入放大区，随着$v_1$v1​升高，$i_B$iB​升高，$i_C$iC​也升高，$R_C$RC​上的压降升高，当v1升高到$R_C$RC​上的压降接近VCC时，vo接近于0，电路工作进入饱和区，处于深度饱和状态，电压（小于0.1V）和电阻（小于100欧姆）都很小，相当于导通，这个临界点的基极电流称为饱和基极电流，也就是说高电平要求基极电流大于饱和基极电流才算导通
• 饱和基极电流可以这么算：

其中β其实比放大区的β要小，所以用放大区的β带入算出来的饱和基极电流比实际的要小，但是做题不考虑这个误差，只能是这么算因为饱和区的β不会给出来

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• 三极管反相器：
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  在开关电路上加了一个负电源和一个电阻R2，是为了当v1稍大于0时基极电压为负保证三极管截止