本文以模拟和数字两种 LDO，分别以三种不同的方式FinFET, TFET和hybrid TFET-FinFET实现。针对频率响应，负载调整率和电源抑制比(PSRR)评估较低、中等、较高三种偏置电流条件下的指标。
结果表明，对于模拟LDO电路，在较低和中等工作电流下，TFET-LDO和hybrid-LDO提供的反馈增益和PSRR比FinFET-LDO好，而在较高的工作电流下, FinFET实现的效果会更好。
随着工作电压的降低，模拟LDO性能下降，而数字LDO对VIN在0.55V以下的情况更有利。对于数字LDO，FinFET方案所体现的所有LDO性能都比TFET和hybrid TFET-FinFET优越。
Keywords—FinFET, Tunnel FET (TFET), LDO, Digital Voltage Regulator
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