好久没有回顾旧知识了，重新温习一下模拟电路，若有误之处，烦请指教。
MOS管特性曲线主要又Id漏极电流和Vds漏-源电压组成（NMOS管型号：BSS1445为例，Vds=100V，Rds=3.5欧）。与三极管不同的是：
三极管基极b加电流来改变特性曲线，而MOS管则是门极g加电压即Vgs来改变特性曲线，所以他们之间最明显的就是流控和压控的区别。
不多说，上图：
- .dc表示电路直流测试
- Vds表示ds端电压变化从0到100V，递进值0.2V
- Vgs表示be端电压变化从0到16V，递进值2V （这里选了一个Ron=3.5Ω较大的MOS管，所以Id小一点）
由曲线可明显发现：
1、Vgs=4V红色曲线下的蓝色和绿色曲线基本上处于截止区；
2、每条曲线的线性区是放大区；
3、水平区域是饱和区。